ویفر سیلیکونی

رشد شمش
رشد شمش سیلیکون بسته به عواملی مانند اندازه، کیفیت و مشخصات می تواند از یک هفته تا یک ماه متغیر باشد. بیش از 75 درصد ویفرهای سیلیکونی از طریق روش Czochralski (CZ) رشد می‌کنند، که در آن تکه‌های سیلیکون چند کریستالی بکر در یک بوته کوارتز به همراه مقادیر کمی از عناصر ناخالص قرار می‌گیرند. افزودن مواد ناخالص خواص الکتریکی لازم برای رشد شمش را می دهد.

برش دادن
هنگامی که شمش روند رشد کامل خود را طی کرد، به اندازه ای آسیاب می شود که از نظر قطر کمی بزرگتر از اندازه هدف ویفر سیلیکونی نهایی باشد. پس از گذراندن تعدادی از بازرسی ها، شمش با استفاده از اره لبه الماس برش داده می شود. اره لبه الماسی نه تنها برای برش دادن ویفرها به طوری که کمی ضخیم تر از اندازه مورد نظر هستند، بلکه برای کمک به حداقل رساندن آسیب به ویفر سیلیکونی استفاده می شود.

لپ زدن
بعد از اینکه ویفر برش خورد، لپ می‌شود. فرآیند لپینگ، آثار اره و عیوب سطحی را از ویفر حذف می کند. همچنین ویفر را نازک می کند و استرس انباشته شده در فرآیند برش را کاهش می دهد.

تمیز کردن
ویفرهای سیلیکونی پس از لپ کردن، مراحل تمیز کردن و اچ شدن را طی می کنند. هیدروکسید سدیم یا اسیدهای استیک و نیتریک هر گونه ترک میکروسکوپی و/یا آسیب سطحی را که ممکن است در حین لپ زدن ایجاد شده باشد، کاهش می دهد.

جلا دادن
مرحله نهایی و مسلماً حیاتی ترین مرحله پولیش ویفر سیلیکونی است. فرآیند پولیش در یک اتاق تمیز انجام می شود که در آن کارگران لباس های تمیز می پوشند که تمام بدن آنها را می پوشاند. یک فن نیز در حال دمیدن است که ذرات کوچکی را که ممکن است قبل از ورود به اتاق تمیز جمع شده باشد، از بین می برد.