بستر صفحه ویفر سیلیکونی

بستر صفحه ویفر سیلیکونی

بستر صفحه ویفر سیلیکونی ممتاز ما طوری مهندسی شده است که پایه ای محکم و{0}}بسیار مسطح برای ساخت دستگاه های پیشرفته- ارائه دهد. به طور خاص برای200 میلی متر (8 اینچ) و 300 میلی متر (12 اینچ)این بستر در خطوط تولید نیمه هادی، رفتار مواد یکنواخت استثنایی و ثبات سطح اتمی{0}} را در کل چرخه تولید تضمین می کند.

ویژگی های کلیدی و مزایای فنی:

پایداری حرارتی:زیرلایه یکپارچگی ساختاری عالی و حداقل انبساط حرارتی را حتی در فرآیندهای{0}در دمای بالا مانند بازپخت و انتشار حفظ می‌کند.

کنترل سطح دقیق:طراحی شده برای-لیتوگرافی و رسوب گذاری با دقت بالا، ارائه صنعت-TTV پیشرو (تغییر ضخامت کل) برای به حداکثر رساندن بازده تراشه.

مقاومت مکانیکی:طراحی شده برای مقاومت در برابر حمل و نقل صنعتی دقیق و تکنیک های پیشرفته پردازش مواد بدون به خطر انداختن قابلیت اطمینان.

تمرکز نیمه هادی خالص:به طور انحصاری برای برنامه‌های-با خلوص بالا، از جملهدستگاه های برق (IGBT/MOSFET)، مدارهای مجتمع (IC) و MEMS.

این بستر برای ریخته‌گری‌ها و IDM‌هایی که به دنبال صفحه‌ای قابل اعتماد و نیمه‌رسانا{0}}که نیازهای سخت‌گیرانه میکروالکترونیک مدرن را برآورده می‌کند، انتخاب ایده‌آل است.

تگ های محبوب: بستر صفحه ویفر سیلیکونی، تولید کنندگان، تامین کنندگان، کارخانه زیرلایه صفحه ویفر سیلیکونی چین