سطح ویفر سیلیکونی

سطح ویفر سیلیکونی

سطح ویفر سیلیکونی درجه نیمه هادی-ما برای عملکرد بهینه در یکپارچگی-چگالی بالا به دقت مهندسی شده است. هر زیرلایه تحت چند مرحله- قرار می گیردپرداخت مکانیکی شیمیایی (CMP)فرآیند برای دستیابی بهزبری سطح سطح آنگستروم-(Ra)و همواری برتر جهانی. این تضمین می‌کند که ویفر برای سخت‌ترین-لیتوگرافی زیر میکرونی و الگوسازی{2}}با وضوح بالا آماده است.

مزایای فنی:

یکپارچگی سطحی سازش ناپذیر:سطح صیقلی با کیفیت بالا، بدون خراش‌ها و حفره‌های کوچک است، و پایه‌ای بکر ارائه می‌کند که تراکم نقص را در هنگام رسوب لایه نازک- (CVD/PVD) به حداقل می‌رساند.

یکنواختی الکتریکی:ما ویژگی‌های الکتریکی ثابت-از جمله کنترل مقاومت دقیق و تحرک حامل- را در کل سطح ویفر، از اندازه‌های قدیمی ۲ اینچی تا زیرلایه‌های پیشرفته ۱۲ اینچی، تضمین می‌کنیم.

سازگاری فرآیند پیشرفته:سطوح ما که برای پشتیبانی از ساخت نیمه‌هادی‌های پیشرفته{0}}طراحی شده‌اند، چسبندگی عالی برای مقاومت در برابر نور و پایداری بالا در طول رشد اپیتاکسیال پیچیده ارائه می‌دهند.

قابلیت اطمینان صنعتی:ساخته شده برای برنامه های کاربردی-با عملکرد بالادستگاه های برق (IGBT/MOSFET)، میکروالکترونیک RF و MEMSویفرهای 2-12 اینچی ما نتایج تولید پایدار و بازدهی بالا را برای کارخانه‌های جهانی تضمین می‌کنند.

تگ های محبوب: سطح ویفر سیلیکونی، تولید کنندگان سطح ویفر سیلیکونی چین، تامین کنندگان، کارخانه