بستر دیسک ویفر سیلیکونی

بستر دیسک ویفر سیلیکونی

بسترهای دیسک ویفر سیلیکونی ممتاز ما طوری مهندسی شده اند که پایه ای محکم و{0}}فوق العاده پایدار برای ساخت نیمه هادی های پیشرفته ارائه کنند. پوشش تمام قطرهای استاندارد از2 اینچ (50 میلی متر) تا 12 اینچ (300 میلی متر)، این بسترها برای ریخته‌گری‌ها و IDM‌های متمرکز بر تولید دستگاه‌های الکترونیکی با کارایی بالا انتخاب ارجح هستند.

مزایای فنی اصلی:

درجه خلوص الکترونیکی-:ما سیلیکون 100% نیمه هادی-درجه (EG) با سطوح خلوص پیشرو در صنعت- ارائه می کنیم که از تحرک حامل برتر و عملکرد دستگاه پایدار بدون خطر{{3} آلودگی متقابل اطمینان می دهیم.

دقت سطح میکرون-:هر دیسک به گونه‌ای پردازش می‌شود که تغییرات ضخامت کلی (TTV) و مشخصات تاب خوردگی را برآورده کند، که اجازه می‌دهد-فتولیتوگرافی با دقت بالا و رسوب‌گذاری چند لایه پیچیده-.

یکنواختی مواد استثنایی:ما مقاومت پایدار و محتوای اکسیژن/کربن را در سرتاسر مواد تضمین می‌کنیم و نتایج قابل تکرار را در مجموعه‌های-مقیاس بزرگ تولید تضمین می‌کنیم.

قابلیت اطمینان سازه:زیرلایه‌های ما برای حفظ یکپارچگی آن تحت بازپخت{0}در دمای بسیار بالا و تنش‌های مکانیکی طراحی شده‌اند.دستگاه های برق (IGBT/MOSFET)، میکروالکترونیک RF و MEMS.

تگ های محبوب: بستر دیسک ویفر سیلیکونی، تولید کنندگان بستر دیسک ویفر سیلیکونی چین، تامین کنندگان، کارخانه