ویفرهای سیلیکونی ناقص-

ویفرهای سیلیکونی ناقص-

این ویفرهای سیلیکونی درجه یک با تمرکز بی‌وقفه بر کمال کریستالی طراحی شده‌اند و با دقت مهندسی شده‌اند تاویژگی کاهش عیوب کریستالی و عیوب سطحی. با اجرای مذاب-فیلتراسیون سیلیکون پیشرفته و کشش دقیق-Czochralski (CZ) کنترل شده، اختلالات شبکه رایج مانند حفره‌های کریستالی (COP) و خوشه‌های نابجایی بزرگ (LDC) را حذف می‌کنیم. این یکپارچگی سطح اتمی{4}}نیاز اساسی برای نسل بعدی مقیاس‌بندی زیر- نانومتری است که یک الگوی بکر برای مدارهای CMOS و آنالوگ پیچیده ارائه می‌کند.

بازده و قابلیت اطمینان دستگاه پیشرفته:به حداقل رساندن عیوب نقطه و اکسیژن به طور مستقیم رسوب می کندعملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه را در تولید نیمه هادی افزایش می دهد. ویفرهای ما با کنترل دقیق ذرات منشاء کریستال (بدون COP{1}}) در سراسر ناحیه فعال، از افزایش موضعی میدان الکتریکی جلوگیری می‌کنند، که به طور قابل توجهی افزایش می‌دهد.یکپارچگی اکسید دروازه (GOI)و خطر نارسایی اولیه{0}}زندگی در اجزای منطق و حافظه را کاهش می دهد.

به حداقل رساندن جریان تاریک و نویز انگلی:به طور خاص برای حسگرهای تصویر با حساسیت بالا و آی‌سی‌های برق-بهینه‌سازی شده‌اند. این منجر به کاهش قابل‌توجه جریان‌های تاریک و نویز انگلی می‌شود که از پردازش سیگنال با وفاداری بالا و پایداری حرارتی بالاتر حتی در محیط‌های سوئیچینگ با سرعت بالا اطمینان می‌دهد.

یکپارچگی سطح برتر برای لیتوگرافی پیشرفته:ویفرهای ما با رعایت دقیق‌ترین استانداردهای SEMI، بسیار-پایین هستندنقص نقطه نور (LPD)و زیر{0}}زبری سطح آنگستروم ($R_a$). این خلوص هندسی و شیمیایی عمق ثابت--فوکوس (DOF) را تضمین می‌کند و از اعوجاج الگو در طول فتولیتوگرافی بحرانی EUV/DUV جلوگیری می‌کند و امکان ساخت ثابت ویژگی‌های نانومتری-بدون افت عملکرد مرتبط-را فراهم می‌کند.

تگ های محبوب: ویفرهای سیلیکونی کم-ویفرهای سیلیکونی با نقص، چین-ویفرهای سیلیکونی کم نقص، تولیدکنندگان، تامین کنندگان، کارخانه