کامپوزیت سیلیکونی ویفر سیلیکونی

کامپوزیت سیلیکونی ویفر سیلیکونی

کامپوزیت ویفر سیلیکونی با خلوص بالا-ما به دقت مهندسی شده است تا از کیفیت یکنواخت بدون انطباق در طول سخت‌ترین چرخه‌های ساخت اطمینان حاصل کند. این ماده که برای طیف 2{4}}اینچ تا 12{5}}اینچ بهینه شده است، پایه انتخابی برای میکروالکترونیک با دقت بالا و معماری دستگاه های نسل بعدی است.

نکات فنی کلیدی:

هم افزایی حرارتی و الکتریکی:این کامپوزیت پایداری حرارتی و یکنواختی الکتریکی فوق‌العاده را ارائه می‌کند، از نقاط داغ جلوگیری می‌کند و از تحرک حامل ثابت در کل سطح ویفر اطمینان می‌دهد.

یکپارچه سازی بدون درز:زیرلایه‌های ما که برای سازگاری «وصل-و-بازی» طراحی شده‌اند، بدون نیاز به کالیبراسیون مجدد گسترده در خطوط تولید CMOS، MEMS و Power Device موجود یکپارچه می‌شوند.

مهندسی دقیق:ما کنترل سطح اتمی-روی ساختار کامپوزیت را حفظ می‌کنیم و پایه‌ای قوی ارائه می‌کنیم که از لیتوگرافی پیشرفته و تکنیک‌های رسوب{1} خلاء بالا پشتیبانی می‌کند.

تمرکز نیمه هادی خالص:به طور انحصاری برای برنامه‌های کاربردی درجه الکترونیکی-(EG) از جملهمدیریت توان (IGBT/MOSFET)، میکروالکترونیک RF و منطق آی سی. ما برای تضمین عدم آلودگی متقاطع-به‌طور جدی هرگونه مواد درجه‌بندی خورشیدی را حذف می‌کنیم.

تگ های محبوب: ویفر سیلیکونی کامپوزیت سیلیکون ویفر سیلیکونی، تولید کنندگان کامپوزیت سیلیکونی ویفر سیلیکونی چین، تامین کنندگان، کارخانه