ساختار ویفر سیلیکونی

ساختار ویفر سیلیکونی

ساختارهای ویفر سیلیکونی نیمه هادی-ما در سطح اتمی طراحی شده اند تا ساخت بسیار کنترل شده را در کل تسهیل کنند.50 میلی متر تا 300 میلی متر (2 تا 12 اینچ)طیف قطر با استفاده از پیشرفتهCzochralski (CZ) و Float Zone (FZ)با روش‌های کریستال‌کشی، شبکه‌ای بکر و بدون نقص-که به‌عنوان میزبانی-با یکپارچگی بالا برای رشد همپایه و-کاشت یون با دوز بالا عمل می‌کند، تضمین می‌کنیم.

مزایای اصلی متمایز:

شبکه-همگنی سطح:برخلاف مواد ترکیبی-، ویفرهای ما دارای ویژگی‌های داخلی فوق‌العاده-یکنواخت-محتوای اکسیژن و کربن بین‌بستری با کنترل خاص هستند. این امر از بارش حرارتی در طول بازپخت{4}}فاردار با خلاء بالا جلوگیری می‌کند و پروفیل‌های الکتریکی قابل پیش‌بینی را تضمین می‌کند.آی سی های برق (IGBT/MOSFET) و ماژول های RF.

مقاومت حرارتی مکانیکی:یکپارچگی ساختاری بهینه تضمین می‌کند که هر ویفر در طول چرخه‌های پردازش شدید، از-انتشار دمای بالا تا آسیاب مکانیکی{{1}، به‌طور مداوم رفتار می‌کند. این ثبات برای حفظ حیاتی استزیر-تغییر ضخامت کل میکرون (TTV)و جلوگیری از شکستن ویفر در خطوط اتوماتیک ریخته گری 300 میلی متری.

بازده-دقت محرک:هر زیرلایه به گونه ای طراحی شده است که انتظارات صنعتی سختگیرانه را برای- مسطح بودن سایت (SFQR) برآورده کند و از آن فراتر رود. این دقت از عمق گسترش یافته--فوکوس (DOF) در فتولیتوگرافی پیشرفته پشتیبانی می‌کند، که مستقیماً با کاهش قابل‌توجه در رانش فرآیند و افزایش قابلیت اطمینان دستگاه نهایی مرتبط است.

تگ های محبوب: ساختار ویفر سیلیکونی، سازندگان سازه ویفر سیلیکونی چین، تامین کنندگان، کارخانه