ویفر اکسید سیلیکون{0}با عملکرد بالا برای مدارهای مجتمع

ویفر اکسید سیلیکون با کارایی بالا برای مدارهای مجتمع به دقت برای سخت ترین کاربردها در تولید نیمه هادی طراحی شده است. این ویفر که از دی‌اکسید سیلیکون فوق‌العاده خالص (SiO2) ساخته شده است، برای استفاده در تولید مدارهای مجتمع پیشرفته (IC)، سیستم‌های میکروالکترومکانیکی (MEMS)، حسگرها و سایر میکروالکترونیک‌های با فناوری پیشرفته ایده‌آل است. این ویفر که به دلیل خواص دی الکتریک برتر، پرداخت سطحی بی عیب و نقص و پایداری حرارتی بالا شناخته شده است، عملکردی با کیفیت بالا و قابل اعتماد را در ساخت{{6} نسل بعدی الکترونیک تضمین می کند. طراحی شده برای برآورده کردن الزامات دقیق هم در تحقیقات و هم در{8}}تولید با حجم بالا، عایق کاری الکتریکی و الگوی بهینه سازی عالی را ارائه می دهد. این ویفر اکسید سیلیکون چه برای نمونه سازی IC استفاده شود و چه برای تولید در مقیاس بزرگ{10}} نتایج استثنایی و ثابتی ارائه می دهد.