ویفر میکروالکترونیک سیلیکونی

ویفر میکروالکترونیک سیلیکونی

این سری زیرلایه سیلیکونی به طور دقیق مهندسی شده است تا پایه فیزیکی و الکتریکی نهایی را برایمدارهای مجتمع خاص برنامه-(ASIC)و دستگاه های قدرت گسسته. پوشش کامل طیف از2 اینچ (50 میلی متر) تا 12 اینچ (300 میلی متر)، معماری مواد ما بر حذف آسیب‌های زیرسطحی و بی‌نظمی‌های شبکه تمرکز می‌کند، و اطمینان می‌دهد که ویفر در طول-کاشت یون با انرژی بالا و رشد اپیتاکسیال چندلایه به عنوان یک میزبان بکر عمل می‌کند.

مزایای فنی اصلی:

مقاومت حرارتی-مکانیکی:طراحی شده برای زنده ماندن از مجازات ترینبودجه های حرارتی، این بسترها یکپارچگی ساختاری و صافی خود را از طریق چرخه های مکرر اکسیداسیون{0}}در دمای بالا و بازپخت حرارتی سریع (RTA) حفظ می کنند. این انعطاف‌پذیری از لغزش و تاب‌خوردگی شبکه جلوگیری می‌کند و از دقت هم‌ترازی زیر میکرونی برای منطق-چگالی بالا و تضمین می‌کند.آی سی برق (IGBT/MOSFET)ساخت.

مورفولوژی سطح پیشرفته:هر ویفر تحت شرایط اختصاصی قرار می گیردشیمی-صفحه‌سازی مکانیکی (CMP)برای دستیابی به زبری سطح فوق-کم و آبگریزی بهینه. این مورفولوژی برتر پنجره فرآیند گسترده‌تری را برای فوتولیتوگرافی تسهیل می‌کند و امکان تشکیل ویژگی‌های حیاتی با وفاداری بالا و کاهش تداخل مهره‌ها را فراهم می‌کند.

همگام سازی دسته ای استراتژیک:برای حمایت از نیازهای تولید مستمر کارخانه های ریخته گری جهانی، ما اجرا می کنیمکنترل دوپینگ با دقت بالا-و مدیریت آستانه اکسیژن/کربن. این هماهنگ‌سازی تضمین می‌کند که پروفیل‌های مقاومت در چندین دوره تولید یکسان باقی می‌مانند و مستقیماً به ولتاژهای آستانه تثبیت شده و افزایش یافته تبدیل می‌شوند.ویفر-سطح بازده (WLY)برای لوازم الکترونیکی صنعتی و خودرو-.

تگ های محبوب: ویفر میکروالکترونیک سیلیکونی، تولید کنندگان ویفر میکروالکترونیک سیلیکونی چین، تامین کنندگان، کارخانه