فناوری آماده سازی بستر کاربید سیلیکون

فن آوری های آماده سازی بستر کاربید سیلیکون شامل روش PVT (روش انتقال بخار فیزیکی)، روش محلول و روش رسوب شیمیایی بخار در دمای بالا می باشد. در حال حاضر، رشد تک کریستال کاربید سیلیکون تجاری از روش PVT استفاده می کند. زیرلایه کاربید سیلیکون از پودر کربن با خلوص بالا و پودر سیلیکون با خلوص بالا به عنوان مواد اولیه برای سنتز پودر کاربید سیلیکون استفاده می کند. تحت یک میدان دمایی خاص، روش انتقال بخار فیزیکی بالغ (روش PVT) برای رشد شمش های کاربید سیلیکون در اندازه های مختلف و تحت پردازش الکترواستاتیک استفاده می شود. ، برش شمش کریستال، آسیاب ویفر، پرداخت و تمیز کردن و غیره از طریق چندین روش پردازش انجام می شود.