طبقه بندی بستر کاربید سیلیکون

با توجه به خواص الکتریکی مختلف، بسترهای کاربید سیلیکون را می توان به دو نوع زیرلایه های کاربید سیلیکون نیمه عایق و زیرلایه های کاربید سیلیکون رسانا تقسیم کرد. زیرلایه های نیمه عایق کاربید سیلیکون عمدتاً برای ساخت دستگاه های فرکانس رادیویی نیترید گالیوم استفاده می شود. با رشد یک لایه اپیتاکسیال نیترید گالیوم بر روی یک بستر کاربید سیلیکون نیمه عایق، یک ویفر همپای گالیوم نیترید مبتنی بر کاربید سیلیکون تولید می شود که می تواند بیشتر برای ساخت دستگاه های فرکانس رادیویی نیترید گالیوم استفاده شود. بسترهای کاربید سیلیکون رسانا عمدتاً در ساخت دستگاه های قدرت استفاده می شود. متفاوت از فرآیند تولید دستگاه های سنتی قدرت سیلیکون، دستگاه های قدرت کاربید سیلیکون را نمی توان مستقیماً بر روی بسترهای کاربید سیلیکون ساخت. برای به دست آوردن ویفر اپیتاکسیال کاربید سیلیکون و ساخت انواع مختلف دستگاه های قدرت بر روی لایه همپایی، لازم است یک لایه اپیتاکسیال کاربید سیلیکون روی یک بستر رسانا رشد داده شود. دستگاه