ویفرهای بستر سیلیکونی

ویفرهای بستر سیلیکونی

این بسترهای سیلیکونی درجه یکبه عنوان مواد اساسی برای ساخت دستگاه های الکترونیکی عمل می کند، یک الگوی- قوی و فوق العاده خالص برای اکوسیستم نیمه هادی مدرن ارائه می دهد. ویفرهای ما که از طریق-کشش چوکرالسکی (CZ) با دقت بالا و{3}}صفحه‌سازی مکانیکی چند مرحله‌ای- شیمیایی (CMP) با دقت بالا طراحی شده‌اند، سطحی بکر برای رسوب لایه‌ای-اتمی و کاشت یون پیچیده ارائه می‌کنند. این یکپارچگی معماری تضمین می‌کند که بستر یک میزبان غیرفعال-با عملکرد بالا برای گیت‌های منطقی فعال و ساختارهای اتصال غیرفعال باقی می‌ماند.

خواص فیزیکی و الکتریکی پایدار:بسترهای ما تحت تلرانس های صلب برای مقاومت شعاعی و جهت گیری شبکه هستند کهپشتیبانی از تکنیک های پردازش متنوعاز انتشار در دمای بالا تا حکاکی پلاسما. این سازگاری تضمین می‌کند که رابط زیرلایه به دستگاه ثابت می‌ماند و اثرات انگلی را به حداقل می‌رساند و عملکرد قابل پیش‌بینی ترانزیستور را در کل سطح ویفر 200mm/300mm تضمین می‌کند.

بهینه سازی حرارتی-خنثی مکانیکی:این ویفرها که به‌طور خاص برای مقاومت در برابر بودجه‌های حرارتی شدید پردازش جلویی{{1} انتهای-خط (FEOL) طراحی شده‌اند، مقاومت بالایی در برابر تنش حرارتی و لغزش شبکه از خود نشان می‌دهند. این انعطاف‌پذیری ساختاری از تاب‌خوردگی ریز در هنگام بازپخت حرارتی سریع (RTA) و توالی‌های CVD جلوگیری می‌کند، و وفاداری هندسی مورد نیاز برای فتولیتوگرافی زیر-میکرون و انباشته‌سازی سه‌بعدی چند لایه را حفظ می‌کند.

یکپارچگی سطح برتر برای یکپارچه سازی پیشرفته:با رعایت دقیق‌ترین استانداردهای SEMI، ویفرهای ما دارای نقص‌های بسیار{0}}نقطه نور کم (LPD) و زبری سطح اتمی- هستند. این خلوص شیمیایی و فیزیکی عمق پایدار--فوکوس (DOF) را تضمین می‌کند و از اعوجاج الگو جلوگیری می‌کند و امکان ساخت مداوم معماری‌های CMOS، MEMS و Power IC با چگالی بالا را بدون از دست دادن عملکرد ناشی از بستر-می‌دهد.

تگ های محبوب: ویفر بستر سیلیکونی، تولید کنندگان ویفر بستر سیلیکونی چین، تامین کنندگان، کارخانه