پایه فرآیند سیلیکون
این پایه فرآیند سیلیکونی با دقت طراحی شده است تا به عنوان یکپلت فرم تولید پایداربرای یکپارچه سازی دستگاه های الکترونیکی پیشرفته پشتیبانی از طیف کامل از2 اینچ (50 میلی متر) تا 12 اینچ (300 میلی متر)، این پایه‌ها به گونه‌ای طراحی شده‌اند که-یک رابط با وفاداری بالا ارائه می‌کنند که می‌تواند شدیدترین را تحمل کند.مراحل حرارتی و مکانیکیبدون به خطر انداختن یکپارچگی ساختاری یا الکتریکی.
یکپارچگی ساختاری سازش ناپذیر:پایه مهندسی شده استحفظ یکپارچگی آن در طول ساختمقاومت در برابر میکرو-چرخش و لغزش شبکه حتی در هنگام انتشار در دمای بالا و پردازش سریع حرارتی (RTP). این انعطاف‌پذیری ساختاری تضمین می‌کند که ترازهای چندلایه دقیق باقی می‌مانند، که برای توسعه منطق چگالی بالا بسیار مهم است.آی سی برق (IGBT/MOSFET)معماری ها
به حداقل رساندن تنوع فرآیند:رفتار مواد قابل اعتماد سنگ بنای-تولید با بازده بالا است. با حفظ مشخصات مقاومت شعاعی بسیار یکنواخت و به حداقل رساندن ناخالصی های بینابینی، فرآیند ما پایهکاهش تغییرات غیرمنتظرهدر نرخ اچ و رسوب{0}}فیلم نازک. این سازگاری اجازه می دهد تا پنجره فرآیند قابل پیش بینی تری در بین دسته های تولیدی متنوع ایجاد شود.
سازگاری با مسیرهای پیچیده:مناسب برایمسیرهای پردازش پیچیده، پایه به طور یکپارچه در ریخته گری های خودکار مدرن کار می کند. مورفولوژی سطح برتر و پروفیل لبه آن از پایداری بلندمدت-در طول شیمی-صفحه‌سازی مکانیکی (CMP) و کاشت یون پشتیبانی می‌کند و تضمین می‌کند که قطعات نهایی دقیق‌ترین استانداردهای قابلیت اطمینان را در بخش‌های خودرو و صنعتی رعایت می‌کنند.
