بستر تراشه سیلیکونی

بستر تراشه سیلیکونی

این سری زیرلایه تراشه سیلیکونی با دقت مهندسی شده است تا سازش ناپذیری ارائه دهدپلت فرم پایدار برای ساخت تراشه. پشتیبانی از طیف کامل صنعتی از2 اینچ (50 میلی متر) تا 12 اینچ (300 میلی متر)، این بسترها به عنوان یک پایه-با خلوص بالا عمل می کنند که برای حفظ انسجام شبکه مطلق حتی تحت شدیدترین چرخه های پردازش حرارتی و شیمیایی طراحی شده است.

پشتیبانی از معماری دستگاه های پیچیده:زیرلایه به طور خاص طراحی شده استپشتیبانی از معماری دستگاه های پیچیدهاز جمله طرح‌های-CMOS با چگالی بالا، BiCMOS و توان پیشرفته-MOSFET. با به حداقل رساندن نوسانات اکسیژن میان بافتی و ناخالصی های فلزی سطح، این ماده یکپارچگی دی الکتریک گیت پایدار و ولتاژ آستانه ثابت (Vth) را در ساختارهای منطقی چند لایه تضمین می کند.

دقت{0}دقت پردازش محور: یکنواختی عالیدر مقاومت شعاعی و زیر{0}}تغییر ضخامت کل میکرون (TTV) به طور قابل توجهیدقت پردازش را بهبود می بخشد. این دقت هندسی برای حفظ عمق پایدار--فوکوس (DOF) در طول فتولیتوگرافی پیشرفته، کاهش اعوجاج الگو و اطمینان از انتقال وفاداری بالا-ویژگی‌های مقیاس نانومتری بسیار مهم است.

سازگاری برای تولید-در مقیاس بزرگ:مهندسی شده بهبه طور مداوم در شرایط صنعتی انجام شود، بسترهای ما ادغام یکپارچه را در سیستم‌های جابجایی رباتیک خودکار و-سیستم‌های رسوب‌گذاری با خلاء بالا تسهیل می‌کنند. این قابلیت اطمینان آنها را می سازدایده آل برای تولید-تراشه در مقیاس بزرگ، فراهم کردن دسته-به-تکرارپذیری دسته ای مورد نیاز برای تثبیت سطح بازده ویفر- (WLY) و کاهش کل هزینه مالکیت (TCO) در زنجیره تامین جهانی.

تگ های محبوب: بستر تراشه سیلیکون، تولید کنندگان بستر تراشه سیلیکون چین، تامین کنندگان، کارخانه