ویفرهای سیلیکونی دوپ شده

ویفرهای سیلیکونی دوپ شده ما به طور خاص برای رفع نیازهای کاربردهای مختلف نیمه هادی با افزایش خواص الکتریکی سیلیکون از طریق افزودن عناصر ناخالص طراحی شده اند. نوع و غلظت مواد ناخالص را می توان دقیقاً برای دستیابی به مقاومت الکتریکی مطلوب کنترل کرد. به طور کلی، هرچه مواد ناخالص بیشتری اضافه شود، مقاومت کمتری دارد و این ویفرها را برای کاربردهای الکترونیکی و فتوولتائیک خاص بسیار قابل تنظیم می کند.

ما طیف گسترده ای از عناصر ناخالص را برای اصلاح ویژگی های الکتریکی ویفرهای سیلیکونی، از جمله گزینه های نوع P و نوع N ارائه می دهیم:

• محدوده مقاومت: مقاومت ویفرهای سیلیکونی دوپ شده بسته به نوع و غلظت ناخالصی می تواند از 001/00 اهم 0 اهم سانتی متر تا ۱۰۰ اهم سانتی متر متغیر باشد. با افزایش مقدار ناخالصی، مقاومت مقاومتی کاهش می یابد و ویفر را قادر می سازد الکتریسیته را با کارایی بیشتری هدایت کند.

• غلظت حامل: ویفرهایی که به شدت دوپ شده‌اند دارای غلظت بالاتری از حامل‌های بار (اعم از الکترون‌ها یا حفره‌ها) هستند که امکان افزایش رسانایی را فراهم می‌کند و آنها را برای قطعات الکترونیکی با کارایی بالا ایده‌آل می‌کند.

تگ های محبوب: ویفرهای سیلیکونی دوپ شده، تولید کنندگان، تامین کنندگان، ویفرهای سیلیکونی دوپ شده چین