ویفر سیلیکونی CZ
ویفرهای سیلیکونی CZ با استفاده از روش Czochralski تولید می شوند که یکنواختی کریستالی عالی و مقاومت کنترل شده را برای کاربردهای نیمه هادی ارائه می دهند.
- تحویل سریع
- تضمین کیفیت
- خدمات مشتریان 24/7
معرفی محصول
ویفر سیلیکونی CZ
توضیحات محصول:
ویفرهای سیلیکونی CZ ما هستندبا استفاده از روش Czochralski تولید شده است، ارائه یک پلت فرم کریستالی با خلوص بالا-بهینه شده برای سخت ترین محیط های الکترونیکی. این بسترها با اجرای شبیه‌سازی‌های میدان حرارتی پیشرفته و اتوماسیون{2}}کشش کریستالییکنواختی کریستالی عالیدر سراسر شمش این فرآیند امکان ایجاد-ویفرهای با قطر بزرگ- را فراهم می‌کند2 اینچ تا 12 اینچ-که پایداری مکانیکی و شیمیایی ضروری مورد نیاز برای مقیاس‌بندی زیر-میکرون دستگاه را فراهم می‌کنند.
مقاومت کنترل شده برای کاربردهای نیمه هادی:از طریق مدیریت توزیع ناخالص دقیق، این ویفرها ارائه می دهندمقاومت کنترل شدهبا تلرانس شعاعی و طولی محکم. این همگنی الکتریکی تضمین می‌کند که ولتاژهای آستانه ترانزیستور در سطح ویفر ثابت می‌مانند، و آنها را به پایه‌ای ایده‌آل برای چگالی-بالا تبدیل می‌کند.منطق، حافظه و CMOSمعماری ها
دریافت ذاتی از طریق کنترل اکسیژن:یکی از مزایای بارز فرآیند CZ توانایی مدیریت غلظت اکسیژن بینابینی (Oi) است. این تسهیل می کنددریافت ذاتی (IG)، جایی که رسوبات اکسیژن به عنوان تله داخلی برای ناخالصی های فلزی عمل می کنند. این مکانیسم{1}خودتصفیه کننده از رسیدن آلودگی به ناحیه فعال دستگاه جلوگیری می کند و به طور قابل توجهی قابلیت اطمینان و عملکرد مدارهای مجتمع را افزایش می دهد.
سطح برتر و وفاداری هندسی:ویفرهای CZ ما که برای مطابقت با سخت‌گیرانه‌ترین استانداردهای SEMI مهندسی شده‌اند، زیر-میکرون هستند.تنوع کل ضخامت (TTV)و زبری سطح فوق-کم (Ra). این دقت هندسی عمق ثابت--فوکوس (DOF) را در طول مراحل حیاتی فوتولیتوگرافی تضمین می‌کند، و از ساخت مداوم اتصالات چندلایه پیچیده و ساختارهای دروازه پشتیبانی می‌کند.
تگ های محبوب: ویفر سیلیکونی cz، چین cz ویفر سیلیکونی تولید کنندگان، تامین کنندگان، کارخانه
