شمش کریستال سیلیکون نیمه هادی فوق العاده-

شمش کریستال سیلیکون نیمه هادی فوق العاده-

شمش کریستال سیلیکونی نیمه هادی فوق{0} خلوص ما با استفاده از روش رشد پیشرفته Czochralski همراه با گاز زدایی با خلاء بالا و پالایش پلاسما مهندسی شده است. با کاهش ناخالصی‌های فلزی به سطوح زیر{3} ppb و کنترل اکسیژن که برای بهینه‌سازی انتشار پایین‌دست طراحی شده است، این شمش یکپارچگی ساختاری و قوام الکتریکی استثنایی را ارائه می‌دهد. برای پشتیبانی از پلت‌فرم‌های نیمه‌رسانای پیشرفته{5} طراحی شده است، حداقل رانش مقاومت، طول عمر حامل قابل اطمینان و بازده ویفر را بهبود می‌بخشد. این ماده به طور گسترده در IC های منطقی، IGBT، ماسفت های قدرت، تراشه های حافظه، ماژول های RF و توسعه فوتونیک مبتنی بر سیلیکون استفاده می شود. سازگاری آن با خطوط تولید ویفر 200 میلی‌متر/300 میلی‌متری و پردازش ویفر با قطر بزرگ{11}{12}}و{12}}افزایش نازک، کارخانه‌ها را قادر می‌سازد هزینه-به‌ازای{14}}دستگاه را کاهش دهند و در عین حال خروجی تولید و{15} قابلیت اطمینان بلندمدت را افزایش دهند. ایده‌آل برای ارتباطات با فرکانس بالا، تراشه‌های محاسباتی هوش مصنوعی، و نسل بعدی الکترونیک خودرو.

تگ های محبوب: شمش کریستال سیلیکون نیمه هادی فوق العاده-خلوص، تولید کنندگان، تامین کنندگان، کارخانه شمش کریستال سیلیکون نیمه هادی فوق العاده-چین