بلوک رشد سیلیکونی دقیق

مشخصات فنی: بلوک رشد سیلیکونی دقیق

بررسی اجمالی محصول

بلوک رشد سیلیکونی دقیق تحت فرآیندهای هسته زایی و انجماد جهت دار به شدت کنترل شده توسعه یافته است. این مدیریت حرارتی پیشرفته ساختار داخلی تصفیه شده و توزیع ناخالصی بسیار قابل پیش بینی را تضمین می کند. به طور خاص برای نسل بعدی الکترونیک با کارایی بالا طراحی شده است، عملکرد و کارایی را برای نیمه هادی های پیشرفته و تولید سلول های خورشیدی-نوع N- با راندمان بالا بهینه می کند.

مزایای فنی اصلی

هسته سازی کنترل شده:شروع دقیق فاز رشد کریستال، عدم تطابق شبکه و عیوب ساختاری را به حداقل می رساند و پایه و اساس برتری را برای اپیتاکسی فراهم می کند.

تعالی انجماد جهتی:پروتکل‌های خنک‌کننده پیشرفته یک جبهه انجماد یکنواخت را تضمین می‌کنند که منجر به چگالی مواد و خواص حرارتی بسیار ثابت در سراسر بلوک می‌شود.

توزیع ناخالصی قابل پیش بینی:کنترل استثنایی بر گرادیان های مقاومت به تولیدکنندگان اجازه می دهد تا به تحمل های الکتریکی محکمی دست یابند که برای برنامه های کاربردی حساس-به فرکانس و توان{1} بالا ضروری است.

N{0}}بهینه سازی نوع:به طور خاص برای پشتیبانی از تخریب کمتر و نیازهای کارایی بالاتر فناوری‌های نوع N-، که طول عمر حامل را تسهیل می‌کند.

برنامه های کاربردی اولیه

سلول‌های کارآمد-نوع بالا-:بستر ایده‌آل برای معماری‌های خورشیدی TOPCon و HJT که به سطوح ناخالصی فوق‌العاده-کم نیاز دارند.

بعدی-نیمه هادی های نسل بعدی:بلوک‌های پایدار{0} بالا برای دستگاه‌های RF (فرکانس رادیویی) و مدارهای مجتمع پیشرفته.

تحقیقات دقیق-بالا:یک پایه قابل اعتماد برای آزمایش های رشد کریستال و تحقیقات پیشرفته دوپینگ.

خلاصه اطلاعات فنی

روش رشد:انجماد جهت دار / هسته سازی کنترل شده

یکنواختی ناخالصی:واریانس < 3٪ در کل بلوک

کمال کریستالی:چگالی دررفتگی کم (EPD)

محدوده مقاومت:سفارشی-برای نیازهای نوع N-یا نوع P تخصصی- تنظیم شده است

تگ های محبوب: بلوک رشد سیلیکون دقیق، تولید کنندگان بلوک رشد سیلیکون دقیق چین، تامین کنندگان، کارخانه