شمش سیلیکون کریستال عمیق-

شمش سیلیکون کریستال عمیق-

Deep{0}}شمش سیلیکون کریستال برای تولیدکنندگان-با حجم بالا طراحی شده است که به دنبال ویفرهای با فرمت بزرگتر و حداقل کاهش عملکرد مربوط به لبه{2}} هستند. با توجه به اینکه "منطقه موثر" ویفر توسط یکنواختی شمش منبع تعیین می شود، این مواد با استفاده از یک محصول اختصاصی رشد می کنند.گسترش میدان حرارتی-پروتکل این یکپارچگی کریستالی عمیق‌تر، تنوع{1} ویفر را از هسته تا لبه ستون شمش کاهش می‌دهد و از استراتژی‌های نازک‌سازی تهاجمی پشتیبانی می‌کند (تا85–90 μm) بدون به خطر انداختن استحکام مکانیکی یا ایجاد ترک‌های میکرو-. نتیجه زیرلایه‌ای است که در محیط‌های-الماسی با سرعت بالا-سیم اره‌زنی و سلول‌های خودکار{4}}به‌طور قابل پیش‌بینی رفتار می‌کند. برای اطمینان از آمادگی فوری فرآیند، گزینه‌های تحویل شامل خدمات برش‌شده به-و گزارش‌های بازرسی پیش از{8}}است که تراکم‌های نقص داخلی را از طریق میکروسکوپ مادون قرمز اسکن (SIRM) پوشش می‌دهند، و امکان ادغام «اولین-زمان{10}}درست» با خطوط تولید سطح 1 را فراهم می‌کنند.

مهندسی منطقه انجماد توسعه یافته:فناوری Deep{0}}کریستال ما از گرمای فعال-و موقعیت بهینه بوته برای صاف کردن رابط جامد-مایع استفاده می‌کند. با گسترش ناحیه انجماد پایدار، توزیع شعاعی جاهای خالی و بینابینی را به حداقل می‌رسانیم، که محرک اصلی برای دستیابی به مقاومت یکنواخت در شمش‌های با قطر بزرگ (210$ میلی‌متر +) است.

انعطاف پذیری برای استراتژی های لاغری تهاجمی:این شمش‌ها که به‌طور خاص برای اهداف ذخیره‌سازی مواد ۲۰۲۶-بهینه‌سازی شده‌اند، مشخصات چقرمگی شکست فوق‌العاده بالایی دارند. این "چقرمگی" ساختاری امکان برش فوق العاده نازک را با کمترین ضایعات در ضخامت های زیر90 μm، ویفرها استحکام مکانیکی مورد نیاز برای-حرکت خلاء با سرعت بالا را حفظ می کنند.

به حداقل رساندن لبه{0}}از دست دادن عملکرد مرتبط:با کنترل دقیق سرعت خنک‌سازی در قسمت بیرونی شمش، «حلقه‌ی اکسیژن-» و خوشه‌های رسوب فلزی را که معمولاً محیط ویفرهای بزرگ را تخریب می‌کنند، حذف می‌کنیم. این تضمین می کند که راندمان سلول در کل سطح یکنواخت است و توان خروجی ماژول نهایی G12 را به حداکثر می رساند.

تگ های محبوب: عمیق-شمش سیلیکون کریستال عمیق، چین-تولید کنندگان، تامین کنندگان، کارخانه شمش سیلیکون کریستال عمیق