فرآیندهای پرداخت ویفرهای کاربید سیلیکون چیست؟

فرآیند پرداخت ویفر کاربید سیلیکون (SiC) معمولاً شامل مراحل زیر است:
1. تمیز کردن سطح: ابتدا ویفر کاربید سیلیکون سطح تمیز می شود تا آلودگی ها و ناخالصی های سطح از بین برود. این را می توان با استفاده از تمیز کردن با حلال، تمیز کردن اولتراسونیک یا سایر روش های مناسب انجام داد.
2. آسیاب درشت: ویفر را در یک آسیاب خاص قرار دهید، ذرات ساینده (مانند اکسید آلومینیوم) و مایع آسیاب (مانند پلی متیل متاکریلات) را روی دیسک چرخان بمالید و از طریق تعامل چرخش و حرکت، آسیاب و آسیاب کنید. سطح صاف.
3. آسیاب متوسط: پس از آسیاب خشن، ویفر در معرض آسیاب متوسط ​​قرار می گیرد تا زبری سطح را بیشتر کاهش دهد و صافی را بهبود بخشد. در این مرحله معمولاً از ذرات ساینده کوچکتر و دوغاب استفاده می شود.
4. سنگ زنی ریز: سنگ زنی ریز برای به دست آوردن سطحی ریزتر است. برای خرد کردن ویفر از ذرات ساینده کوچکتر و مایع ساینده استفاده کنید. این مرحله به از بین بردن لکه های میکروسکوپی و عیوب روی سطح کمک می کند.
5. پولیش: مرحله آخر استفاده از دستگاه پولیش برای صیقل دادن ویفر برای از بین بردن آثار باقیمانده در طول فرآیند آسیاب ریز و بهبود بیشتر کیفیت سطح است. پولیش معمولاً با استفاده از مایع پولیش (مانند سل سیلیس) و پارچه پولیش یا پد پولیش انجام می شود.
در بالا جریان فرآیند کلی پرداخت ویفر کاربید سیلیکون است. پارامترها و روش های خاص ممکن است با توجه به کاربردها و الزامات واقعی متفاوت باشد. در عملیات واقعی، باید بر اساس عواملی مانند اندازه ویفر، نیازها و قابلیت‌های تجهیزات تنظیم و بهینه شود.