تاریخچه توسعه اندازه ویفر سیلیکونی نیمه هادی

هرچه اندازه ویفر سیلیکونی بزرگتر باشد، می توان تراشه های بیشتری را روی هر ویفر تولید شده در آینده برش داد و هزینه هر تراشه کمتر خواهد بود. در 196{1}} ویفرهای سیلیکونی تک کریستالی حدود 0.75 اینچ (حدود 20 میلی متر) وجود داشت. هنگامی که گوردون مور قانون مور را در حدود سال 1965 پیشنهاد کرد، ترانزیستورها هنوز تحت سلطه دستگاه های گسسته بودند و سپس مقدار کمی از ویفرهای سیلیکونی 1.{6}}اینچی استفاده شد. سپس تقاضا برای ویفرهای سیلیکونی 1.{8}}اینچی برای مدارهای مجتمع بسیار افزایش یافت. پس از آن، بعد از 2-اینچ، 3 اینچ و 4 اینچ. بعد 5 اینچ، 6 اینچ، 8 اینچ، سپس روی 12 اینچ، 18 اینچ.
ویفرهای سیلیکونی تک بلوری مواد اولیه برای ساخت دستگاه‌های سیلیکونی نیمه‌رسانا هستند و برای ساخت یکسو کننده‌های پرقدرت، ترانزیستورهای پرقدرت، دیودها، دستگاه‌های سوئیچینگ و غیره استفاده می‌شوند. زمینه های. به عنوان یک ماده نیمه هادی مهم، سیلیکون تک کریستال به طور گسترده در تبدیل فوتوالکتریک و دستگاه های نیمه هادی سنتی استفاده شده است. منابع نوری نورانی با هدایت الکتریکی، مانند لامپ‌های تخلیه، لامپ‌های فلورسنت یا صفحه‌های درخشان پرتو کاتدی، دیودهای ساطع نور و غیره. از صفحه نمایش می توان برای تشکیل یک سیستم نوری الکترونیکی با عملکردهای خاص استفاده کرد. به عنوان مثال می توان از ارتباطات فیبر نوری برای دستیابی به انتقال اطلاعات سریع و با ظرفیت بالا استفاده کرد. سطح فنی مشابه اصلی را بسیار بهبود بخشیده است.