خط تولید

تولید ویفر سیلیکونی

فرآیند تولید ویفر سیلیکونی

ما ویفرهای سیلیکونی با کیفیت-بالا ارائه می‌کنیم که از صنعت نیمه‌رسانا در لبه برتر پشتیبانی می‌کنند. مواد اولیه با بالاترین سطح کیفیت به عنوان ماده ویفر سیلیکونی استفاده می شود. ویفرها تحت شدیدترین کنترل کیفی تولید می شوند تا محصولاتی را ایجاد کنند که نیازهای مشتری را به انواع مختلف برآورده کنند.

Silicon Wafer Image 5

ساخته شده از بهترین مواد اولیه، برای کیفیتی که می توان روی آن حساب کرد

شمش تک کریستالی

ویفرهای سیلیکونی ارائه شده توسط ما از شمش‌های سیلیکونی تک کریستالی با خلوص بالا{{0} ساخته شده‌اند که با استفاده از فرآیند رشد کریستال Czochralski (CZ) تولید می‌شوند. شمش های تا قطر 300 میلی متر تحت استانداردهای کنترل کیفیت دقیق تولید می شوند.

در صورت نیاز مشتریان، ما همچنین از روش مغناطیسی چوکرالسکی (MCZ) استفاده می‌کنیم که شامل اعمال میدان مغناطیسی قوی روی سیلیکون مذاب می‌شود، یا از روش شناور-منطقه (FZ) که در آن شمش‌های تک کریستالی در سطوح اکسیژن کم بدون استفاده از بوته کوارتز رشد می‌کنند.

Silicon Wafer Image 4

یک شمش تک کریستالی به برش هایی به ضخامت تقریبی 1 میلی متر بریده می شود و سطوح آن به صورت آینه مانند صیقل داده می شود. در نتیجه، ویفرها فوق العاده صاف و تمیز هستند. SUMCO همچنین می‌تواند قابلیت‌های جذب را در ویفر بگنجاند، که به جذب ناخالصی‌های فلزات سنگین کمک می‌کند که در غیر این صورت می‌توانند خواص الکتریکی را کاهش دهند.

Silicon Wafer Additional Image

یک ویفر صیقلی تحت بازپخت در دمای بالا در فضایی از هیدروژن یا آرگون قرار می گیرد و اکسیژن نزدیک سطح ویفر را از بین می برد. ویفر به دست آمده کمال کریستالی را بهبود بخشیده است.

Silicon Wafer Image 3

برای کیفیت برتر

لایه سطحی ویفر صیقلی از سیلیکون تک کریستالی با استفاده از رشد فاز بخار یا اپیتاکسی تشکیل شده است.

Silicon Wafer Image 2

ابتدا، طراحی مشتری برای ایجاد یک لایه جاسازی برای مدارهای مجتمع بر روی سطح ویفر، با استفاده از تکنیک هایی مانند فوتولیتوگرافی، کاشت یون و انتشار حرارتی استفاده می شود. در مرحله بعد، یک لایه اپیتاکسیال در بالای این لایه تشکیل می شود.

Silicon Wafer Image 1

یک لایه اکسیدی با خواص عایق الکتریکی عالی بین دو ویفر صیقلی قرار می‌گیرد که سپس به یکدیگر متصل می‌شوند. این فرآیند اتصال امکان ایجاد دستگاه هایی با یکپارچگی بالا، مصرف انرژی کم، سرعت بالا و قابلیت اطمینان استثنایی را فراهم می کند. علاوه بر این، یک لایه انتشار از آرسنیک (As) یا آنتیموان (Sb) می تواند در لایه فعال در سطح ویفر تشکیل شود.

در صورت درخواست مشتری، ویفرهای استفاده شده را می توان پس گرفت و برای استفاده مجدد بازیافت کرد.

انواع ویفر و مشخصات

نوع ویفر	ویفر جلا داده شده	ویفر آنیل شده	ویفر اپیتاکسیال	ویفر جدا شده از اتصال	ویفر سیلیکونی-روشن-عایق
قطر (میلی متر)	100, 125, 150, 200, 300	-	150, 200, 300	100, 125, 150, 200, 300	150, 200
جهت گیری کریستالی	<100>, <111>, <110>	<100>, <111>, <110>	<100>, <111>, <110>	<100>, <111>, <110>	<100>, <111>, <110>
دوپانت برای تنظیم رسانایی	B (بور)، P (فسفر)، Sb (آنتیموان)، As (آرسنیک)	B، P، Sb، As	B، P، Sb، As	B، P، Sb، As	B، P، Sb، As

محتوای خدمات

معرفی ویفر سیلیکونی فوق العاده-

خط تولید

فرآیند تولید ویفر سیلیکونی

ساخته شده از بهترین مواد اولیه، برای کیفیتی که می توان روی آن حساب کرد

شمش تک کریستالی

برای کیفیت برتر

انواع ویفر و مشخصات

شما نیز ممکن است دوست داشته باشید

ارسال درخواست

دانش

خط تولید

فرآیند تولید ویفر سیلیکونی

ساخته شده از بهترین مواد اولیه، برای کیفیتی که می توان روی آن حساب کرد

شمش تک کریستالی

برای کیفیت برتر

انواع ویفر و مشخصات

شما نیز ممکن است دوست داشته باشید

ارسال درخواست