نحوه انتخاب ویفرهای سیلیکونی برای رسوب لایه نازک

نحوه انتخاب ویفرهای سیلیکونی برای رسوب لایه نازک

ویفرهای سیلیکونی به طور گسترده ای به عنوان بستر در رسوب لایه نازک، از جمله PVD، CVD، کندوپاش، تبخیر، ALD و سایر فرآیندهای پوشش استفاده می شود.

 

برای خریداران، انتخاب ویفر سیلیکونی مناسب تنها مربوط به قطر نیست. پرداخت سطح، جهت، ضخامت، مقاومت و نوع ویفر همگی می توانند بر روی نتیجه رسوب گذاری و فرآیند آزمایش تاثیر بگذارند.

 

این راهنما مشخصات کلیدی را توضیح می دهد که هنگام انتخاب ویفر سیلیکونی برای رسوب لایه نازک باید در نظر گرفته شود.

 

1. قطر ویفر قطرهای معمول ویفر سیلیکونی عبارتند از:

- 2 اینچ

- 3 اینچ

- 4 اینچ

- 6 اینچ

- 8 اینچ

 

برای آزمایشگاه های دانشگاهی و پروژه های تحقیق و توسعه، ویفرهای 2 اینچی، 4 اینچی و 6 اینچی معمولا درخواست می شود. برای آزمایش فرآیند یا استفاده مرتبط{4}}به تجهیزات، اندازه مورد نیاز معمولاً به سازگاری ابزار بستگی دارد.

 

قبل از خرید، خریداران باید اندازه ویفر پذیرفته شده توسط تجهیزات رسوب گذاری خود را تایید کنند.

 

2. نوع ویفر: نخست، آزمایش یا ساختگی پروژه های مختلف ممکن است به درجه های ویفر متفاوتی نیاز داشته باشند.

| نوع ویفر|استفاده معمولی |

|----------------|-----------------|

| ویفر پرایم|آزمایشات با نیاز بالاتر یا توسعه فرآیند |

| ویفر تست|آزمایش عمومی، اجرای آزمایشی و بررسی فرآیند |

| ویفر ساختگی|تست تجهیزات، تمرین و استفاده از فرآیند غیر بحرانی |

 

اگر ویفر فقط برای آزمایش تجهیزات یا تنظیم فرآیند استفاده می شود، ویفرهای ساختگی یا ویفرهای آزمایشی ممکن است کافی باشند. اگر فیلم رسوب‌شده برای تجزیه و تحلیل دقیق الکتریکی، نوری یا مواد استفاده شود، ویفرهای اولیه ممکن است ترجیح داده شوند.

 

3. فینیش سطح: پولیش سطحی SSP یا DSP عامل مهم دیگری است.

| نوع|معنی|استفاده معمولی |

|--------|-------------|----------------|

| SSP|پولیش یک طرفه|یک طرف صیقلی برای رسوب |

| DSP|پولیش دو طرفه|هر دو طرف جلا داده شده، زمانی مفید است که هر دو سطح اهمیت دارند |

 

برای بسیاری از فرآیندهای رسوب لایه نازک، ویفرهای سیلیکونی SSP کافی است زیرا فیلم در یک طرف رسوب می کند. با این حال، ویفرهای سیلیکونی DSP ممکن است برای کاربردهای نوری، MEMS یا فرآیندهای دوطرفه- مورد نیاز باشد.

4. جهت گیری کریستالی

جهت گیری های رایج ویفر سیلیکونی عبارتند از:

- `<100>` - `<111>`

جهت گیری صحیح به فرآیند و کاربرد بستگی دارد.

 

به عنوان مثال، MEMS، رفتار اچینگ، خواص سطح و ساختار دستگاه ممکن است نیاز به جهت گیری خاصی داشته باشد. اگر خریدار مطمئن نیست، بهتر است قبل از سفارش، فرآیند مورد نیاز را بررسی کند.

 

5. مقاومت و نوع دوپینگ

ویفرهای سیلیکونی می‌توانند از نوع P یا N- با محدوده‌های مقاومت متفاوت باشند.

 

گزینه های رایج عبارتند از:

ویفر سیلیکونی نوع - P-

ویفر سیلیکونی نوع - N-

- ویفر سیلیکونی با مقاومت کم

- ویفر سیلیکونی با مقاومت بالا

 

برای تست های پوشش ساده، مقاومت ممکن است خیلی مهم نباشد. اما برای آزمایش الکتریکی، کاربردهای RF یا توسعه دستگاه های نیمه هادی، مقاومت می تواند یک مشخصات مهم باشد.

 

6. ضخامت و TTV

 

ضخامت ویفر باید با الزامات تجهیزات و جابجایی مطابقت داشته باشد.

 

خریداران همچنین ممکن است لازم باشد موارد زیر را در نظر بگیرند:

- ضخامت

- TTV

- تعظیم

- پیچ و تاب

- زبری سطح

 

برای تحقیق و توسعه عمومی، ضخامت استاندارد ممکن است قابل قبول باشد. برای توسعه فرآیند دقیق، ممکن است به مشخصات دقیق تری نیاز باشد.

 

7. نیاز لایه اکسید

 

برخی از کاربردها به ویفرهای سیلیکونی با لایه اکسید حرارتی نیاز دارند.

 

ویفر سیلیکونی اکسید حرارتی ممکن است زمانی استفاده شود که پروژه نیاز به موارد زیر داشته باشد:

- لایه عایق

- جداسازی سطح

- تست لایه نازک

- توسعه فرآیند MEMS

- آزمایش سازگاری مواد

 

قبل از سفارش ویفر اکسیدی، خریداران باید ضخامت اکسید مورد نیاز را تایید کنند.

 

نتیجه گیری

 

انتخاب ویفر سیلیکونی برای رسوب لایه نازک به فرآیند، تجهیزات و هدف آزمایش نهایی بستگی دارد. قبل از خرید باید به قطر، سطح، جهت، مقاومت، ضخامت و لایه اکسید توجه کرد.