خطاهای چیدمان در ویفرهای SiC 6H: آنچه خریداران باید بدانند
Jan 14, 2026
چگالی خطای انباشتگی تعداد خطاهای انباشتگی در واحد سطح یک ویفر SiC 6H است که معمولاً در هر سانتی متر مربع گزارش می شود. گسل انباشتگی یک نقص مسطح است که در آن دنباله طبیعی ABCACB لایه‌های اتمی شکسته می‌شود. چگالی بالاتر می تواند جریان نشتی را افزایش دهد و طول عمر حامل را کوتاه کند، و تحت بایاس رو به جلو، برخی از خطاها می توانند رشد کنند و دستگاه های دوقطبی را تخریب کنند.
چه عیب انباشته ای است
کاربید سیلیکون در انواع مختلفی وجود دارد. آنها شیمی مشابهی دارند و فقط در نحوه انباشته شدن دولایه های Si-C با هم تفاوت دارند. 6H SiC هر شش لایه (ABCACB) و 4H SiC هر چهار (ABCB) تکرار می شود. هنگامی که یک لایه در موقعیت اشتباه قرار می گیرد، یک تخته کریستال نازک با یک انباشته محلی متفاوت به پایان می رسد. آن دال یک گسل انباشته است. از آنجایی که ساختار نواری آن کمی با کریستال 6H اطراف آن متفاوت است، می تواند حامل های بار را به دام بیاندازد یا دوباره ترکیب کند.
چگالی خطای انباشته چگونه اندازه گیری می شود
- تصویربرداری یا نقشه برداری فوتولومینسانس (PL).گسل های انباشته در طول موج های متفاوت از کریستال میزبان منتشر می شوند، بنابراین در نقشه های PL در کل ویفر نشان داده می شوند. این عملی ترین روش برای بازرسی کامل ویفر است.
- توپوگرافی اشعه ایکسبدون آسیب رساندن به ویفر، عیوب گسترده را در مناطق بزرگ نشان می دهد.
- میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM).این خطاها را در وضوح اتمی نشان می دهد، اما فقط در یک نمونه کوچک. برای تجزیه و تحلیل استفاده می شود، نه بازرسی معمول.
هنگامی که اعداد تامین کنندگان مختلف را با هم مقایسه می کنید، روش، ناحیه ای که نقشه برداری شده و حذف لبه را بررسی کنید. نتایج حاصل از روش های مختلف به طور مستقیم قابل مقایسه نیستند.
چه چیزی باعث انباشت گسل می شود
شرایط رشد کریستال
بیشتر بول های SiC توسط انتقال فیزیکی بخار (PVT) رشد می کنند. شیب دما، نرخ رشد ناپایدار و نوسانات نسبت Si/C باعث می شود لایه ها به طور نادرست روی هم چیده شوند. آنها همچنین می توانند باعث ایجاد چند نوع دیگر شوند.
کیفیت بذر
نقص در کریستال بذر تمایل به حمل به بول دارد. نابجایی های صفحه پایه نگران کننده هستند، زیرا بعداً می توانند به گسل های انباشته تبدیل شوند.
ناخالصی ها و دوپینگ
ناخالصی های کنترل نشده و دوپینگ غیریکنواخت شرایط رشد موضعی را تغییر می دهد و می تواند تراکم نقص را افزایش دهد.
پردازش ویفر
برش و سنگ زنی باعث آسیب به زیر سطح می شود. پولیش و CMP باید این آسیب را به طور کامل از بین ببرند، در غیر این صورت فشار و خراش های باقی مانده در سطحی که سازنده دستگاه روی آن می سازد باقی می ماند.
چگونه عیوب انباشتگی بر عملکرد دستگاه تأثیر می گذارد
برقی
گسل های انباشته به عنوان مکان های نوترکیبی و به دام انداختن عمل می کنند. در دیودها این می تواند به صورت نشتی معکوس بالاتر نشان داده شود. در دستگاه‌های دوقطبی، انرژی نوترکیبی می‌تواند باعث شود برخی از خطاها تحت جریان رو به جلو رشد کنند که در طول زمان ولتاژ رو به جلو را افزایش می‌دهد. این اثر که به عنوان تخریب دوقطبی شناخته می شود، به خوبی در SiC ثبت شده است.
نوری
خطاها سطوح انرژی را در داخل شکاف باند اضافه می کنند و انتشار و جذب را تغییر می دهند. هنگامی که 6H SiC به عنوان بستری برای دستگاه های الکترونیکی نوری استفاده می شود، اهمیت دارد.
اپیتاکسی و بازده
نقص در سطح می تواند به لایه اپیتاکسیال منتقل شود و هر قالب گسلی یک رد بالقوه است.
6 ساعت یا 4 ساعت؟
برای اکثر دستگاه های برق فعلی، 4H SiC به دلیل تحرک بیشتر الکترون آن در امتداد محور c انتخاب معمولی است. 6H SiC هنوز در تحقیقات، برخی از کارهای الکترونیکی نوری و برخی کاربردهای زیرلایه استفاده می شود. ما را ببینیدصفحه ویفر 4H SiCاگر بین این دو تصمیم می گیرید
از تامین کننده ویفر خود چه بخواهید
- آیا چگالی خطای انباشتگی مشخص شده است یا فقط چگالی میکرولوله و دررفتگی؟
- از کدام روش و منطقه نقشه برداری استفاده می شود؟
- آیا می توانید نقشه های بازرسی لات تحویل شده را به اشتراک بگذارید؟
Zhonggui نیمه هادی را برش می دهد، آسیاب می کند، اریب می کند و صیقل می دهد (CMP)ویفرهای SiCدر خانه در اتاق تمیز کلاس 100 در یانگژو. این سوالات را با درخواست خود ارسال کنید و ما به شما خواهیم گفت که چه اطلاعاتی برای سفارش شما موجود است.
سوالات متداول
چه واحدهایی برای انباشتن تراکم خطا استفاده می شود؟معمولاً خطا در هر سانتی متر مربع (مساحتی). برخی از مطالعات مقطعی از چگالی خطی بر سانتی متر استفاده می کنند.
آیا می توان عیوب انباشتگی را پس از رشد حذف کرد؟به طور کلی نه. آنها عمدتاً در مراحل رشد کریستال و انتخاب بذر کنترل می شوند.
آیا تراکم کمتر همیشه بهتر است؟برای دستگاه های الکترونیکی و نوری، بله. آن را در برابر هزینه و نیازهای واقعی دستگاه خود وزن کنید.