تولیدکنندگان ویفر SiC: فهرست تأمین‌کنندگان جهانی و نحوه انتخاب
Jul 14, 2026
بسترهای کاربید سیلیکون (SiC) از لیست نسبتاً کوتاهی از شرکت ها در ایالات متحده، اروپا، ژاپن و چین می آیند. تامین کنندگان معروف عبارتند از Wolfspeed، Coherent (قبلا II-VI)، SiCrystal (گروه ROHM)، Resonac، SICC و TankeBlue. برخی از تراشه‌سازان بزرگ SiC را بیشتر برای دستگاه‌های خود تولید می‌کنند و فروش کمی در بازار آزاد دارند.
این صفحه توسط Zhonggui Semiconductor منتشر شده است که ویفرهای SiC را نیز می فروشد. لیست زیر بر اساس حروف الفبا است و رتبه بندی نیست.
سازندگان دستگاه SiC و سازندگان ویفر SiC متفاوت هستند
بسیاری از فهرست‌های SiC برتر دو گروه را با هم ترکیب می‌کنند. شرکت‌هایی مانند Infineon، Toshiba و Nexperia ماسفت‌ها و دیودهای SiC را می‌فروشند، اما خرید ویفر SiC خالی از آنها گزینه‌ای نیست. جدول زیر شرکت هایی را پوشش می دهد که کریستال های SiC را پرورش می دهند و زیرلایه ها را می فروشند یا تولید می کنند. تعدادی از آنها، مانند onsemi و STMicroelectronics، همچنین سازندگان دستگاه هایی هستند که از بیشتر خروجی زیرلایه خود استفاده می کنند.
قطر برای دستگاه های برقی از 150 میلی متر (6 اینچ) به 200 میلی متر (8 اینچ) در حال حرکت است. 100 میلی متر (4 اینچ) هنوز به طور گسترده در تحقیقات و برای زیرلایه های RF نیمه عایق استفاده می شود.
تولیدکنندگان ویفر SiC در یک نگاه
| شرکت | ستاد | یادداشت ها (معروف به عموم) |
|---|---|---|
| Coherent Corp. (II-VI سابق، تغییر نام به 2022) | ساکسونبورگ، پنسیلوانیا، ایالات متحده آمریکا | بسترهای SiC رسانا (نوع n 4H) و نیمه عایق در قطر تا 200 میلی متر شامل 150 میلی متر و 200 میلی متر |
| نفس | اسکاتسدیل، آریزونا، ایالات متحده آمریکا | پس از خرید GT Advanced Technologies در سال 2021، SiC را افزایش می دهد، عمدتاً برای دستگاه های قدرت خود |
| Resonac (سابق Showa Denko، تغییر نام به 2023) | توکیو، ژاپن | بهترین شهرت برای ویفرهای همپای SiC برای دستگاه های قدرت، رشد بر روی بسترهای تک کریستالی SiC نیز می سازد. |
| SICC Co., Ltd. | جینان، شاندونگ، چین | بسترهای SiC رسانا و نیمه عایق؛ بسترهای رسانای 150 میلی متری و 200 میلی متری |
| SiCrystal GmbH (گروه ROHM) | نورنبرگ، آلمان | سازنده بستر SiC متعلق به ROHM. ROHM و مشتریان خارجی از جمله ویفرهای 150 میلی متری را تحت یک توافق بلند مدت با STMicroelectronics تامین می کند. |
| STMicroelectronics | ژنو، سوئیس | توسعه و تولید بستر SiC در Norrköping، سوئد (Norstel سابق، خریداری شده در 2019) و Catania، ایتالیا، عمدتا برای دستگاه های خود |
| ThinkBlue | پکن، چین | بسترهای SiC رسانا در 100، 150 و 200 میلی متر. نیمه عایق در 100 و 150 میلی متر |
| Wolfspeed (کری سابق، تغییر نام به 2021) | دورهام، کارولینای شمالی، ایالات متحده آمریکا | بسترهای SiC نوع n 4H در 150 میلی‌متر و 200 میلی‌متر، به‌علاوه ویفرهای اپیتاکسیال SiC. تجدید ساختار مالی فصل 11 را در سپتامبر 2025 تکمیل کرد و به فعالیت خود ادامه می دهد |
| Zhonggui Semiconductor (ناشر این صفحه) | یانگژو، جیانگ سو، چین | ویفرهای 4H و 6H SiC؛ زیر را ببینید |
اطلاعات مربوط به اکتبر 2026. خطوط تولید، قطر و مالکیت تغییر می کند، بنابراین قبل از سفارش، جزئیات فعلی را با هر تامین کننده بررسی کنید.
نحوه انتخاب تامین کننده ویفر SiC
یک نقل قول SiC تنها زمانی قابل مقایسه است که مشخصات پشت آن کامل باشد. ابتدا این نکات را برطرف کنید.
چک لیست مشخصات
- چند تایپ.4H-SiC استانداردی برای دستگاه های برق است. 6H-SiC عمدتاً در تحقیقات و برخی کارهای قدیمی اپتوالکترونیک استفاده می شود. یادداشت های ما را مشاهده کنیدویفر 4H-SiC.
- رسانایی و ناخالصی.نوع N (دارای نیتروژن) برای دستگاه های قدرت؛ نیمه عایق (دارای وانادیوم یا با خلوص بالا) برای GaN-on-SiC RF. محدوده مقاومت مورد نیاز خود را ارائه دهید.
- درجه.تولید، تحقیق و نمرات ساختگی در حدود نقص و قیمت متفاوت است. اسامی نمره ها استاندارد نیستند، بنابراین اعداد پشت آنها را مقایسه کنید.
- مشخصات نقصچگالی میکرولوله (MPD) رقم اصلی است. برای دستگاه های برقی، در مورد دررفتگی صفحه پایه، دررفتگی پیچ رزوه ای و منطقه قابل استفاده نیز سوال کنید.
- جهت گیری و برش.بسترهای رسانای 4H برای اپیتاکسی معمولاً 4 درجه خارج از محور به سمت <11-20> هستند. ویفرهای نیمه عایق اغلب روی محور هستند. حالت زاویه و تحمل.
- قطر، ضخامت و صافی.100، 150 یا 200 میلی متر؛ تحمل ضخامت؛ تی تی وی، کمان و تار.
- پرداخت سطح.کدام صورت صیقلی است (Si-face یا C-face)، CMP epi-ready و مشخصات زبری.
- MOQ و زمان سرب.تامین کنندگان بزرگ اغلب ظرفیت 150 میلی متر و 200 میلی متر را به مشتریان بلند مدت اختصاص می دهند. بپرسید چه چیزی در انبار موجود است.
- مستندات.داده های هر ویفر برای مقاومت، MPD و صافی، به علاوه گواهی انطباق.
سوالاتی که باید از یک تامین کننده پرسید
- آیا خودتان بول‌ها را پرورش می‌دهید یا ویفرهایی را که در جای دیگر رشد می‌کنند پردازش می‌کنید؟
- چه محدودیت‌های MPD و سایر نقص‌هایی برای نمره‌ای که ذکر می‌کنید اعمال می‌شود؟
- آیا می توانم نمونه گزارش هر ویفر و نقشه نقص را ببینم؟
- زمان تولید ویفرهای استوک و ضخامت یا برش سفارشی چقدر است؟
- حداقل سفارش چقدر است و آیا ویفر تکی می فروشید یا تکه های خرد شده؟
- ویفرها برای حمل و نقل چگونه بسته بندی می شوند؟
جایی که نیمه هادی Zhonggui قرار می گیرد
Zhonggui Semiconductor در سال 2009 در Yangzhou، Jiangsu، چین تاسیس شد و دارای گواهی ISO 9001 است. ما برش، آسیاب، برش و پولیش CMP را در خانه انجام می دهیم، با پردازش نهایی در اتاق تمیز کلاس 100. مجموع خروجی حدود 10000 ویفر در ماه در مواد ما است.
برای SiC ما ویفرهای 4H و 6H را عرضه می کنیم. این ما را به یک گزینه عملی برای آزمایشگاه‌های تحقیقاتی، دانشگاه‌ها و شرکت‌های کوچک‌تر تبدیل می‌کند که به مقادیر کم یا مشخصات سفارشی نیاز دارند. اگر برای خط تولید نیاز به عرضه با حجم بالا دارید، با تامین کنندگان بزرگتر در جدول بالا نیز تماس بگیرید و قیمت ها را مقایسه کنید. سفارشات توسط FedEx ارسال می شود.
ما را ببینیدمحدوده ویفر SiCومشخصات ویفر 4H-SiC، یامشخصات خود را برای ما ارسال کنیدبرای یک نقل قول ما هم عرضه می کنیمویفرهای InP.
سوالات متداول
چه شرکت هایی ویفر SiC را تولید می کنند؟
Wolfspeed، Coherent، SiCrystal (گروه ROHM)، Resonac، SICC و TankeBlue از جمله شناخته شده ترین ها هستند. onsemi و STMicroelectronics نیز SiC را بیشتر برای دستگاه های خود تولید می کنند.
4H بهتر است یا 6H SiC؟
بستگی به استفاده داره 4H-SiC تحرک الکترون بالاتری دارد و استانداردی برای ماسفت ها و دیودهای قدرت است. 6H-SiC بیشتر در تحقیقات و برخی کاربردهای قدیمی استفاده می شود.
چگالی میکرولوله چیست؟
میکرولوله‌ها دررفتگی‌های پیچ توخالی هستند که از کریستال عبور می‌کنند و می‌توانند دستگاه را بکشند. تراکم میکرولوله در هر سانتی متر مربع شمارش می شود و مقادیر کمتر به معنای سهم بیشتری از قالب قابل استفاده است.
چرا قیمت ویفرهای SiC بسیار بیشتر از ویفرهای سیلیکونی است؟
کریستال های SiC در دمای بسیار بالا به آرامی رشد می کنند و برش و صیقل دادن مواد به سختی انجام می شود. بازده کمتر از سیلیکون است، به خصوص در قطرهای بزرگتر.